Transistors. Page 111 sur 114. Avtronic

Transistor STP9NC60

7.90€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STP9NC60 N-MOS 600V 9A 125W <0.6R(5.7A). PowerMESH. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.6. Puissance: 125 W

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Tarifs dégressifs

Transistor STP9NK50Z

8.34€ TTC

84 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+D 500V 7.2A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 7.2A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 0.72 Ohms. Zéner-Protected SuperMESH MOSFET.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP9NK50ZFP

4.48€ TTC

132 En stock

Transistor STP9NK50ZFP N-MOS+D 500V 7.2A 30W 0.72R(4.5A). Zéner-Protected SuperMESH MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.2 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP9NK60Z

5.94€ TTC

25 En stock

Transistor STP9NK60Z N-MOS+D 600V 7A 125W 0.85R(4.4A). Zéner-Protected SuperMESH Power MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP9NK60ZFP

5.32€ TTC

43 En stock

Transistor STP9NK60ZFP N-MOS+D 600V 7A 30W 0.85R(4.4A). Zéner-Protected SuperMESH Power MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP9NK90Z

10.14€ TTC

24 En stock

Transistor STP9NK90Z N-MOS+D 900V 8A/32Ap. 160W 1.1R(5A). Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Switching applications. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220A. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STQ1NK60ZR-AP

2.69€ TTC

1933 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 0.3A. Référence d'origine constructeur: STQ1NK60ZR-AP. Marquage boîtier: 1NK60ZR. Boîtier: TO-92. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 0.3A. Puissance: 3W. Résistance Rds: 13 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-protected.

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Transistor STS4DNF60L

5.15€ TTC

128 En stock

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 4A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.045 Ohm. STripFET Power MOSFET. Boîtier: SO-8

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Transistor STS5DNF20V

3.25€ TTC

42 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal N 20V 5A. Puissance: 1.6W. Résistance rds: 0.030 Ohms. Boîtier: SO-8.

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Tarifs dégressifs

Transistor STU309D

6.33€ TTC

40 En stock

N&P-MOS DUAL 30V 18A, 30V 14A 11W CMS. Constructeur: SamHop Microelectronics Corp.. Implantation: Felület szerelt (CMS). Type de canal: Canal N et canal P. Type de boîtier: D-PAK (TO-252). Boîtier: TO252-4. Láb szám: 4 DB. Puissance: 11 W. Üzemi hõmér.: -55°C...+175°C. Fréquence de l´horlogenction: N&P PowerTrench MOSFET. Technologi

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Transistor STU407D

7.95€ TTC

11 En stock

Transistor STU407D N&P-MOS DUAL 40V 8A. 40V 6A 11W CMS.. N&P PowerTrench MOSFET. Constructeur: SamHop Microelectronics Corp. Boîtier: TO252-4

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Transistor STW10NK60Z

9.24€ TTC

16 En stock

Transistor STW10NK60Z N-MOS+Z 600V 10A/36Ap. 156W 0.65R (5.7A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner Protect. td(on)20nS. td(off)55nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STW10NK80Z

11.09€ TTC

19 En stock

Transistor STW10NK80Z N-MOS+Z 800V 9A/36Ap 160W 0.78R(6A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner Protect. td(on)30nS. td(off)65nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STW11NK100Z

12.15€ TTC

39 En stock

Transistor STW11NK100Z N-MOS+Z 1000V 8.3A 230W<1.1R(5.2. SuperMesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.3 A. Rds (Ohms): 1.1. Puissance: 230 W

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STW11NK90Z

14.28€ TTC

59 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 900V 9.2A/36.8Ap. 200W. Résistance passante RDSon : 0.82 Ohms (5.8A)

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Tarifs dégressifs

Transistor STW12NK80Z

12.10€ TTC

29 En stock

Transistor STW12NK80Z N-MOS+Z 800V 10.5A 190W<0.65R(6.6A. SuperMesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6.6 A. Rds (Ohms): 0.65.

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Transistor MOSFET canal-N STW12NK90Z

13.05€ TTC

19 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 900V 11A/44Ap 230W. Résistance passante RDSon : 0.72 Ohms (7A)

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Tarifs dégressifs

Transistor STW13NK60Z

12.77€ TTC

12 En stock

Transistor STW13NK60Z N-MOS+Z 600V 13A/40Ap. 160W 0.48R(8A). SuperMesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 13 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8 A. Rds (Ohms): 0.48.

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Transistor MOSFET canal-N STW14NK50Z

10.81€ TTC

52 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 500V 14A/48Ap. 150W. Résistance passante RDSon : 0.34 Ohms (7.6A)

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Tarifs dégressifs

Transistor STW18NK80Z

22.34€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STW18NK80Z N-MOS+Z 800V 19A/76Ap. 350W 0.34R(12A). SuperMesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 19 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.34

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Tarifs dégressifs

Transistor STW18NM80

19.26€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STW18NM80 N-MOS 800V 17A/68Ap.190W 0.25R(10.7A). MDmesh PowerMOSFET. Switching applications. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 10.7 A.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor STP9NC60

Transistor STP9NC60 N-MOS 600V 9A 125W <0.6R(5.7A). PowerMESH. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.6. Puissance: 125 W

Transistor STP9NK50Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+D 500V 7.2A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 7.2A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 0.72 Ohms. Zéner-Protected SuperMESH MOSFET.

Transistor STP9NK50ZFP

Transistor STP9NK50ZFP N-MOS+D 500V 7.2A 30W 0.72R(4.5A). Zéner-Protected SuperMESH MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.2 A.

Transistor STP9NK60Z

Transistor STP9NK60Z N-MOS+D 600V 7A 125W 0.85R(4.4A). Zéner-Protected SuperMESH Power MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7 A.

Transistor STP9NK60ZFP

Transistor STP9NK60ZFP N-MOS+D 600V 7A 30W 0.85R(4.4A). Zéner-Protected SuperMESH Power MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7 A.

Transistor STP9NK90Z

Transistor STP9NK90Z N-MOS+D 900V 8A/32Ap. 160W 1.1R(5A). Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Switching applications. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220A. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

Transistor STQ1NK60ZR-AP

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 0.3A. Référence d'origine constructeur: STQ1NK60ZR-AP. Marquage boîtier: 1NK60ZR. Boîtier: TO-92. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 0.3A. Puissance: 3W. Résistance Rds: 13 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-protected.

Transistor STS4DNF60L

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 4A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.045 Ohm. STripFET Power MOSFET. Boîtier: SO-8

Transistor STS5DNF20V

Double transistor CMS MOSFET canal N 20V 5A. Puissance: 1.6W. Résistance rds: 0.030 Ohms. Boîtier: SO-8.

Transistor STU309D

Transistor STU407D

Transistor STU407D N&P-MOS DUAL 40V 8A. 40V 6A 11W CMS.. N&P PowerTrench MOSFET. Constructeur: SamHop Microelectronics Corp. Boîtier: TO252-4

Transistor STW10NK60Z

Transistor STW10NK60Z N-MOS+Z 600V 10A/36Ap. 156W 0.65R (5.7A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner Protect. td(on)20nS. td(off)55nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A.

Transistor STW10NK80Z

Transistor STW10NK80Z N-MOS+Z 800V 9A/36Ap 160W 0.78R(6A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner Protect. td(on)30nS. td(off)65nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A.

Transistor STW11NK100Z

Transistor STW11NK100Z N-MOS+Z 1000V 8.3A 230W<1.1R(5.2. SuperMesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.3 A. Rds (Ohms): 1.1. Puissance: 230 W

Transistor MOSFET canal-N STW11NK90Z

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 900V 9.2A/36.8Ap. 200W. Résistance passante RDSon : 0.82 Ohms (5.8A)

Transistor STW12NK80Z

Transistor STW12NK80Z N-MOS+Z 800V 10.5A 190W<0.65R(6.6A. SuperMesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6.6 A. Rds (Ohms): 0.65.

Transistor MOSFET canal-N STW12NK90Z

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 900V 11A/44Ap 230W. Résistance passante RDSon : 0.72 Ohms (7A)

Transistor STW13NK60Z

Transistor STW13NK60Z N-MOS+Z 600V 13A/40Ap. 160W 0.48R(8A). SuperMesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 13 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8 A. Rds (Ohms): 0.48.

Transistor MOSFET canal-N STW14NK50Z

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 500V 14A/48Ap. 150W. Résistance passante RDSon : 0.34 Ohms (7.6A)

Transistor STW18NK80Z

Transistor STW18NK80Z N-MOS+Z 800V 19A/76Ap. 350W 0.34R(12A). SuperMesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 19 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.34

Transistor STW18NM80

Transistor STW18NM80 N-MOS 800V 17A/68Ap.190W 0.25R(10.7A). MDmesh PowerMOSFET. Switching applications. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 10.7 A.

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